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掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱结构中带电激子的磁场效应

冀子武 三野弘文 音贤一 室清文 秋本良一 嶽山正二郎

物理学报2008,Vol.57Issue(10):6609-6613,5.
物理学报2008,Vol.57Issue(10):6609-6613,5.

掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱结构中带电激子的磁场效应

Magnetic field effect of charged excitons in n-doped ZnSe/BeTe type-Ⅱ quantum wells

冀子武 1三野弘文 2音贤一 3室清文 3秋本良一 3嶽山正二郎3

作者信息

  • 1. 山东大学物理学院,济南,250100
  • 2. 东京大学物性研究所,柏,277-8581
  • 3. 千叶大学大学院理学部,千叶,263-8522
  • 折叠

摘要

关键词

光致发光/二维电子气/带电激子/Ⅱ型量子阱

分类

化学化工

引用本文复制引用

冀子武,三野弘文,音贤一,室清文,秋本良一,嶽山正二郎..掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱结构中带电激子的磁场效应[J].物理学报,2008,57(10):6609-6613,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10844003)资助的课题. (批准号:10844003)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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