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半导体学报
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InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析
InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析
龚谦
梁基本
徐波
丁鼎
王占国
裘晓辉
商广义
白春礼
半导体学报
Issue(8):662,1.
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半导体学报
Issue(8)
:662,1.
InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析
龚谦
1
梁基本
2
徐波
3
丁鼎
3
王占国
3
裘晓辉
3
商广义
3
白春礼
3
作者信息
1.
中国科学院半导体研究所
2.
中国科学院化学研究所
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摘要
关键词
砷化铟
/
外延生长
/
测量
/
MBE技术
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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龚谦,梁基本,徐波,丁鼎,王占国,裘晓辉,商广义,白春礼..InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析[J].半导体学报,1999,(8):662,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN:
1674-4926
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