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退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响

郁操 侯国付 刘芳 孙建 赵颖 耿新华

人工晶体学报2009,Vol.38Issue(3):662-665,676,5.
人工晶体学报2009,Vol.38Issue(3):662-665,676,5.

退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响

Influence of Annealing Temperature and β-FeSi2 Layer Thickness on the n-type β-FeSi2/p-type Si Heterojunction Solar Cells

郁操 1侯国付 1刘芳 2孙建 1赵颖 1耿新华1

作者信息

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
  • 2. 河北工业大学信息工程学院,天津,300401
  • 折叠

摘要

关键词

β-FeSi2薄膜/直流磁控溅射/退火温度/异质结太阳电池

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郁操,侯国付,刘芳,孙建,赵颖,耿新华..退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响[J].人工晶体学报,2009,38(3):662-665,676,5.

基金项目

天津市应用基础研究计划项目(No.07JCYBJC04000) (No.07JCYBJC04000)

国家重点基础研究发展计划项目(No.2006CB202602 ()

2006CB202603) ()

国家科技计划配套项目(No.07QTPTJC29500) (No.07QTPTJC29500)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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