物理学报2008，Vol.57Issue(10)：6649-6653,5.
N型4H-SiC同质外延生长
Nitrogen doped 4H-SiC homoepitaxial layers grown by CVD
摘要
关键词
4H-SiC/同质外延生长/水平热壁CVD/均匀性分类
数理科学引用本文复制引用
贾仁需,张义门,张玉明,王悦湖..N型4H-SiC同质外延生长[J].物理学报,2008,57(10):6649-6653,5.基金项目
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:51327020202)和教育部科学技术研究重点项目(批准号:106150)资助的课题. （973）
