物理学报2007，Vol.56Issue(11)：6654-6659,6.
重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响
Band gap Narrowing in heavily B doped Si1-xGex strained layers
摘要
关键词
SiGe材料/应变/带隙收缩(BGN)/Jain-Roulston模型分类
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姚飞,薛春来,成步文,王启明..重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响[J].物理学报,2007,56(11):6654-6659,6.基金项目
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z415),国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302802和2007CB613404)和国家自然科学基金 (批准号:60336010,60676005) 资助的课题. （批准号:2006AA03Z415）
