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用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究

谢克文王晓红陈兢刘理天

半导体学报2002，Vol.23Issue(6)：668-672,5.

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半导体学报2002，Vol.23Issue(6)：668-672,5.

用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究

Investigation of Selectively Forming Porous Silicon Used in MEMS

谢克文 ¹王晓红 ¹陈兢 ¹刘理天¹

作者信息

1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
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摘要

关键词

多孔硅/扩散/牺牲层

分类

信息技术与安全科学

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谢克文,王晓红,陈兢,刘理天..用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究[J].半导体学报,2002,23(6):668-672,5.

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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