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用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究

谢自力张荣修向前韩平刘斌陈琳俞慧强江若琏施毅郑有炓

物理学报2007，Vol.56Issue(11)：6717-6721,5.

用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究

MOCVD growth and characteristics of high quality AlGaN used in the DBR structure of ultraviolet detector

谢自力 ¹张荣 ¹修向前 ¹韩平 ¹刘斌 ¹陈琳 ¹俞慧强 ¹江若琏 ¹施毅 ¹郑有炓¹

作者信息

1. 江苏省光电功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093
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摘要

关键词

AlGaN/DBR/紫外探测器/MOCVD

分类

通用工业技术

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谢自力,张荣,修向前,韩平,刘斌,陈琳,俞慧强,江若琏,施毅,郑有炓..用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究[J].物理学报,2007,56(11):6717-6721,5.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(973)(批准号:2006CB6049),国家自然科学基金(批准号:60390072,60476030,60421003,60676057),教育部重大项目(批准号:10416),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210,BK2006126)资助的课题（973）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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