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半导体学报
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中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究
中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究
刘键
王佩璇
柯俊
朱沛然
扬峰
殷士端
半导体学报
Issue(9)：672,1.
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半导体学报
Issue(9)
：672,1.
中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究
刘键
1
王佩璇
1
柯俊
2
朱沛然
2
扬峰
2
殷士端
2
作者信息
1.
北京科技大学材料物理系
折叠
摘要
关键词
砷化镓
/
中子辐照
/
沟道RBS法
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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刘键,王佩璇,柯俊,朱沛然,扬峰,殷士端..中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究[J].半导体学报,1998,(9):672,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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