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辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应

聂纪平 刘忠立 和致经 于芳 李国花 张永刚

半导体学报Issue(8)：676,1.
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半导体学报Issue(8)：676,1.

辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应

聂纪平 1刘忠立 1和致经 2于芳 2李国花 2张永刚2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所
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摘要

关键词

JFET／SOS/辐射加固/结型/场效应晶体管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

聂纪平,刘忠立,和致经,于芳,李国花,张永刚..辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应[J].半导体学报,1999,(8):676,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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