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太阳电池用掺氮直拉单晶硅中氧沉淀行为的研究

李勇 钟尧 席珍强 杨德仁 阙端麟

材料科学与工程学报2006，Vol.24Issue(5)：676-678,3.
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材料科学与工程学报2006，Vol.24Issue(5)：676-678,3.

太阳电池用掺氮直拉单晶硅中氧沉淀行为的研究

Investigation of Oxygen Precipitation Behavior in Nitrogen-doped Czochralski Silicon Used for Solar Cells

李勇 1钟尧 2席珍强 1杨德仁 1阙端麟1

作者信息

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027
  • 2. 中国空间技术研究院北京控制工程研究所,北京,100080
  • 折叠

摘要

关键词

直拉单晶硅/氮/氧沉淀

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李勇,钟尧,席珍强,杨德仁,阙端麟..太阳电池用掺氮直拉单晶硅中氧沉淀行为的研究[J].材料科学与工程学报,2006,24(5):676-678,3.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(60225010)和教育部留学回国人员基金资助项目 （60225010）

材料科学与工程学报

OACSCDCSTPCD

1673-2812

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