真空电子技术Issue(3):67-69,3.
新型压制钡钨阴极性能的研究
Performance Studies of a New Style Compacted Barium-Tungsten Cathode
张红卫 1白振纲 1俞世吉 1丁耀根1
作者信息
- 1. 中国科学院电子学研究所,北京,100080
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摘要
关键词
压制钡钨阴极/工业CT/扫描电子显微镜分类
数理科学引用本文复制引用
张红卫,白振纲,俞世吉,丁耀根..新型压制钡钨阴极性能的研究[J].真空电子技术,2002,(3):67-69,3.