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Ge 衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物 MBE 生长研究

钟建国 谢钦熙 张恕明 乔怡敏 袁诗鑫

半导体学报Issue(9)：680,1.
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半导体学报Issue(9)：680,1.

Ge 衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物 MBE 生长研究

钟建国 1谢钦熙 1张恕明 1乔怡敏 1袁诗鑫1

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钟建国,谢钦熙,张恕明,乔怡敏,袁诗鑫..Ge 衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物 MBE 生长研究[J].半导体学报,1990,(9):680,1.

半导体学报

OACSCD

1674-4926

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