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掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响

朱辉 黄剑锋 曹丽云 曾燮榕 熊信柏 吴建鹏

人工晶体学报2009,Vol.38Issue(3):681-684,4.
人工晶体学报2009,Vol.38Issue(3):681-684,4.

掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响

Influence of Doping Concentration on ZnS: Cu Optical Thin Films Prepared by Electrodeposition

朱辉 1黄剑锋 1曹丽云 2曾燮榕 1熊信柏 2吴建鹏2

作者信息

  • 1. 陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021
  • 2. 深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060
  • 折叠

摘要

关键词

ZnS:Cu薄膜/电沉积/掺杂浓度/光致发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

朱辉,黄剑锋,曹丽云,曾燮榕,熊信柏,吴建鹏..掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响[J].人工晶体学报,2009,38(3):681-684,4.

基金项目

教育部"新世纪优秀人才支持计划"(No.NCET-06-0893) (No.NCET-06-0893)

陕西科技大学研究生创新基金 ()

深圳市特种功能材料重点实验室基金(No.0701) (No.0701)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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