基于Geant4的介质深层充电电场计算OA北大核心CSCDCSTPCD
Geant4-based calculation of electric field in deep dielectric charging
基于Ceant4模拟了电子在Teflon介质中的电荷输运过程,获得了其内部的电流密度、剂量率和电荷沉积量沿深度的分布曲线,进而利用电荷连续性方程、泊松方程和深层俘获方程求解出Teflon中高能量、小束流电子辐照下的电场分布.将介质平板充电过程简化为屏蔽铝板与分层介质组成的Geant4模型,电子源为1.0 MeV,0.1 pA/cm2的平面源.通过记录经过各层介质的电子电量和各层介质内沉积能量和电子数目,用统计平均的方法获得了介质内电流密度、剂量率…查看全部>>
秦晓刚;贺德衍;王骥
兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州,730000兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000
数理科学
卫星介质深层充电Geant4电场
《物理学报》 2009 (1)
684-689,6
真空低温技术与物理国家重点实验室基金(批准号:9140C550304080C5501)资助的课题.
评论