物理学报2003，Vol.52Issue(3)：687-691,5.
螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜
Silicon nitride films prepared by helicon wave plasam-enhanced chemical vapour deposition
摘要
关键词
螺旋波等离子体/化学气相沉积/氮化硅薄膜分类
数理科学引用本文复制引用
于威,刘丽辉,侯海虹,丁学成,韩理,傅广生..螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜[J].物理学报,2003,52(3):687-691,5.基金项目
河北省自然科学基金(批准号:100064)资助的课题. （批准号:100064）
