材料科学与工程学报2006，Vol.24Issue(5)：691-693,699,4.
快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响
Effect of Rapid Thermal Processing on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Subjected to Simulating CMOS Thermal Processing
摘要
关键词
直拉硅单晶/氧沉淀/快速热处理工艺/CMOS工艺分类
通用工业技术引用本文复制引用
马强,杨德仁,马向阳,崔灿..快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响[J].材料科学与工程学报,2006,24(5):691-693,699,4.基金项目
国家自然科学基金重点资助项目(50032010)和国家杰出青年基金资助项目(60225010)及863项目(2002AA3Z1111)资助项目 （50032010）
