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半导体学报
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多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响
多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响
张国强
严荣良
余学锋
罗来会
任迪远
赵元富
胡浴红
半导体学报
Issue(9)：695,1.
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半导体学报
Issue(9)
：695,1.
多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响
张国强
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严荣良
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余学锋
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罗来会
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任迪远
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张国强,严荣良,余学锋,罗来会,任迪远,赵元富,胡浴红..多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响[J].半导体学报,1995,(9):695,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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