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高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性

陈杰智 施毅 濮林 龙世兵 刘明 郑有炓

半导体学报2007，Vol.28Issue(1)：69-72,4.
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半导体学报2007，Vol.28Issue(1)：69-72,4.

高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性

Transport Characteristics of Si-Based Single-Electron Transistors Having a High Gate Modulation Factor

陈杰智 1施毅 1濮林 1龙世兵 2刘明 2郑有炓1

作者信息

  • 1. 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093
  • 2. 中国科学院微电子研究所,纳米技术与新器件集成技术实验室,北京,100029
  • 折叠

摘要

关键词

单电子晶体管/库仑阻塞/库仑振荡/负微分电导

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈杰智,施毅,濮林,龙世兵,刘明,郑有炓..高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性[J].半导体学报,2007,28(1):69-72,4.

基金项目

国家重大基础研究发展计划(批准号:2002CB3119,513270407),国防科技重点实验室基金(批准号:51432030204DZ0101,51433040105DZ0102)资助项目 （批准号:2002CB3119,513270407）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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