硅片纳米磨削过程中磨粒切削深度的测量OA北大核心CSTPCD
Measurement of the cut depth of grain in nano - grinding of silicon wafers
分析了硅片纳米磨削过程中磨粒切削深度的特点,采用基于扫描白光干涉原理的三维表面轮廓仪对磨削后硅片表面的磨削沟槽的深度和宽度进行了测量,进而对磨削沟槽的深度和未变形切屑的横截面的宽高比进行了统计分析.研究表明,采用硅片自旋转磨削方法对硅片进行纳米磨削时,参与切削的磨粒数量极少,起主要切削作用的磨粒只占有效磨粒数量的一小部分,此部分磨粒的切削深度大于砂轮的切削深度,甚至可达后者的2倍;未变形切屑的截面为三角形,其宽高比在21～153之间,平均值为69.
霍凤伟;康仁科;赵福令;金洙吉;郭东明
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024
矿业与冶金
硅片纳米磨削磨粒切削深度未变形切屑厚度未变形切屑宽高比
《金刚石与磨料磨具工程》 2006 (5)
超精抛光中纳米行为和化学作用及平整化原理技术
69-73,5
国家自然科学基金重大项目(批准号:50390061)资助.
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