红外技术2009，Vol.31Issue(2)：69-76,8.
P型GaN器件欧姆接触的研究进展
Developments of Ohmic Contacts of p-Type GaN devices
王忆锋 1唐利斌1
作者信息
- 1. 昆明物理研究所,云南,昆明,650223
- 折叠
摘要
关键词
GaN/欧姆接触/紫外光子探测器/发光二极管/高电子迁移率晶体管/异质结场效应晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王忆锋,唐利斌..P型GaN器件欧姆接触的研究进展[J].红外技术,2009,31(2):69-76,8.
