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蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响

周绪荣 秦志新 鲁麟 沈波 桑立雯 岑龙斌 张国义 俞大鹏 张小平

发光学报2008，Vol.29Issue(4)：701-706,6.
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发光学报2008，Vol.29Issue(4)：701-706,6.

蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响

The Influence of GaN/AlxGa1-xN Superlattice(SLs) Interlayer(IL) on the Strain and Threading Dislocations(TDs) Density of AlxGa1-xN Grown on GaN/Sapphire

周绪荣 1秦志新 1鲁麟 1沈波 1桑立雯 1岑龙斌 1张国义 1俞大鹏 2张小平2

作者信息

  • 1. 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
  • 2. 北京大学,电子显微镜实验室,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

AlxGa1-xN/超晶格/应变/线位错密度

分类

数理科学

引用本文复制引用

周绪荣,秦志新,鲁麟,沈波,桑立雯,岑龙斌,张国义,俞大鹏,张小平..蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响[J].发光学报,2008,29(4):701-706,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(60476028) （60476028）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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