|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|F++B+双注入浅结研究

F++B+双注入浅结研究

李金华 林成鲁 冒建军 何建军 邹世昌

半导体学报Issue(10)：704,1.
✕
半导体学报Issue(10)：704,1.

F++B+双注入浅结研究

李金华 1林成鲁 1冒建军 1何建军 1邹世昌1

作者信息

  • 折叠

摘要

关键词

离子注入/MOS器件/浅结

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李金华,林成鲁,冒建军,何建军,邹世昌..F++B+双注入浅结研究[J].半导体学报,1994,(10):704,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

访问量2
|
下载量0
段落导航相关论文