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原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能

夏咏锋 曾宇平 江东亮

无机材料学报2008,Vol.23Issue(4):705-709,5.
无机材料学报2008,Vol.23Issue(4):705-709,5.

原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能

Preparation and Dielectric Properties of In Situ Reaction Bonded Porous Si3N4 Ceramics

夏咏锋 1曾宇平 2江东亮1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050
  • 2. 中国科学院研究生院,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

Si3N4多孔陶瓷/介电性能/反应结合/气孔率

分类

化学化工

引用本文复制引用

夏咏锋,曾宇平,江东亮..原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能[J].无机材料学报,2008,23(4):705-709,5.

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-324X

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