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纳米晶永磁中面缺陷对畴壁钉扎机理的研究

荣传兵 张宏伟 张健 张绍英 沈保根

物理学报2003,Vol.52Issue(3):708-712,5.
物理学报2003,Vol.52Issue(3):708-712,5.

纳米晶永磁中面缺陷对畴壁钉扎机理的研究

The study of domain-wall pinning by inhomogeneities in nanocrystalline permanent magnets

荣传兵 1张宏伟 1张健 1张绍英 1沈保根1

作者信息

  • 1. 中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心磁学国家重点实验室,北京,100080
  • 折叠

摘要

关键词

面缺陷/矫顽力/钉扎机理/纳米晶

分类

数理科学

引用本文复制引用

荣传兵,张宏伟,张健,张绍英,沈保根..纳米晶永磁中面缺陷对畴壁钉扎机理的研究[J].物理学报,2003,52(3):708-712,5.

基金项目

国家重点基础研究项目(批准号:G1998061303)和国家自然科学基金(批准号:59971063)资助的课题. (批准号:G1998061303)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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