现代电子技术2006，Vol.29Issue(11)：71-74,78,5.
高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计
Optimized Design of Junction Termination Techniques and Combination for High-voltage Power MOSFET
摘要
关键词
高压/功率MOSFET/结终端保护/场板/场限环分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈利,李开航,郭东辉..高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计[J].现代电子技术,2006,29(11):71-74,78,5.基金项目
国家火炬计划项目(205EB010933)、福建省自然科学基金项目(A0410007)和厦门市科技项目的联合资助 （205EB010933）
