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MOCVD GaAs太阳电池的结特性

施小忠 夏冠群 汪乐 莫金玑

半导体学报Issue(1)：72,1.
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半导体学报Issue(1)：72,1.

MOCVD GaAs太阳电池的结特性

施小忠 1夏冠群 1汪乐 2莫金玑2

作者信息

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所半导体材料和器件研究室
  • 折叠

摘要

关键词

太阳电池/MOCVD法/砷化镓

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

施小忠,夏冠群,汪乐,莫金玑..MOCVD GaAs太阳电池的结特性[J].半导体学报,1999,(1):72,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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