吉林大学自然科学学报Issue(3)：72,1.
CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
The Recovery Characteristics of Radiated CMOS/SOD Circuit
王怀荣 1姚达 1苏秀娣 1许仲德 1陆剑侠 1顾长志 2金曾孙2
作者信息
- 1. 东北微电子研究所,沈阳,110035
- 2. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023
- 折叠
摘要
关键词
金刚石膜上的薄层硅/集成电路/抗辐射/恢复特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王怀荣,姚达,苏秀娣,许仲德,陆剑侠,顾长志,金曾孙..CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性[J].吉林大学自然科学学报,1999,(3):72,1.
