西安电子科技大学学报（自然科学版）2006，Vol.23Issue(5)：721-724,753,5.
深亚微米电路NMOS器件HCI退化建模与仿真
Modeling and simulation of the HCI degradation model for the NMOFET in deep submicron circuits
摘要
关键词
深亚微米NMOSFET/热载流子注入退化/ΔId模型/电路可靠性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李康,马晓华,郝跃,陈海峰,王俊平..深亚微米电路NMOS器件HCI退化建模与仿真[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2006,23(5):721-724,753,5.基金项目
国家高技术研究发展项目(2003AA1Z1630) （2003AA1Z1630）
国家自然科学基金资助项目(60376024,60206006) （60376024,60206006）
