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非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究

席光义罗毅郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维任凡韩彦军孙长征

物理学报2008，Vol.57Issue(11)：7233-7237,5.

非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究

Dependence of GaN film sheet resistance on the N2 carrier gas percentage

席光义 ¹罗毅 ¹郝智彪 ¹汪莱 ¹李洪涛 ¹江洋 ¹赵维 ¹任凡 ¹韩彦军 ¹孙长征¹

作者信息

1. 清华大学电子工程系清华大学信息科学与技术国家实验室/集成光电子学国家重点实验室,北京,100084
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摘要

关键词

半绝缘GaN薄膜/载气/金属有机气相外延/位错

分类

信息技术与安全科学

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席光义,罗毅,郝智彪,汪莱,李洪涛,江洋,赵维,任凡,韩彦军,孙长征..非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究[J].物理学报,2008,57(11):7233-7237,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002)、国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806, 2006CB921106)、国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A105)、北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题. （批准号:60536020,60723002）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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