Nd掺杂ZnO薄膜的制备及室温光致发光研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Study on Preparation and Photoluminescence Properties of Nd-doped ZnO Thin Film
通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了Nd掺杂ZnO薄膜.XRD和AFM分析表明,Nd掺杂没有改变ZnO结构,薄膜为纳米多晶结构.随Nd掺杂量的增加颗粒减小,表面粗糙,起伏较大.室温光致发光谱显示,薄膜出现了395 nm的强紫光峰和495 nm的弱绿光峰,Nd掺杂量和氧分压对PL谱发射峰强度产生了一定影响.
文军;陈长乐
西北工业大学,应用物理系,陕西,西安,710072渭南师范学院,物理系,陕西,渭南,714000
数理科学
Nd掺杂ZnO薄膜射频磁控溅射光致发光
《四川师范大学学报(自然科学版)》 2008 (6)
凝固过程中微观对流效应及其对组织形成的影响规律
732-735,4
国家自然科学基金(50331040)和陕西省教育厅科研计划基金(08JK287)资助项目
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