半导体学报2002，Vol.23Issue(7)：735-740,6.
新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计
Analysis and Optimal Design of Novel SiGe/Si Heterojunction Switching Power Diodes
摘要
关键词
SiGe/Si异质结/功率损耗/通态压降/存贮电荷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高勇,陈波涛,杨媛..新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计[J].半导体学报,2002,23(7):735-740,6.基金项目
陕西省自然科学基金重点资助项目(项目编号:2000x09) （项目编号:2000x09）
