半导体学报2006，Vol.27Issue(4)：735-740,6.
基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟
Current Simulation Based on the Percolation-Like Conduction in Ultra-Thin Gate Oxides After Soft Breakdown
摘要
关键词
软击穿/超薄栅氧化层/类渗流导电分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉..基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟[J].半导体学报,2006,27(4):735-740,6.基金项目
国家重点基础研究专项基金资助项目(批准号:TG2000-036503) （批准号:TG2000-036503）
