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多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件

龚欣 张进城 郝跃

半导体学报2004,Vol.25Issue(1):73-76,4.
半导体学报2004,Vol.25Issue(1):73-76,4.

多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件

A SiCOI MESFET with Multi-Step Dielectric Groove Isolation

龚欣 1张进城 1郝跃1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子所,710071,西安
  • 折叠

摘要

关键词

SiCOI MESFET/多台阶介质槽隔离/击穿电压

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

龚欣,张进城,郝跃..多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件[J].半导体学报,2004,25(1):73-76,4.

基金项目

国家重点基础研究发展规划资助项目(No.2002CB311904) (No.2002CB311904)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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