电子器件2007，Vol.30Issue(3)：738-740,3.
基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制
AlGaN/GaN HEMT Based on Native SiC Epitaxy Material
摘要
关键词
SiC/AlGaN/GaN HEMT/自热效应/外延材料分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈晓娟,李诚瞻,刘新宇,罗卫军..基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制[J].电子器件,2007,30(3):738-740,3.基金项目
国家973计划 "新一代化合物半导体电子器件与电路研究"资助项目(2002CB311903) （2002CB311903）
中国科学院创新资助项目(KGCX2-SW-107) （KGCX2-SW-107）
