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CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

王桂珍 白小燕 郭晓强 杨善潮 李瑞宾 林东生 龚建成

强激光与粒子束2009,Vol.21Issue(5):742-744,3.
强激光与粒子束2009,Vol.21Issue(5):742-744,3.

CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

Transient radiation effects of CMOS circuits with different pulse widths

王桂珍 1白小燕 1郭晓强 1杨善潮 1李瑞宾 1林东生 1龚建成1

作者信息

  • 1. 西北核技术研究所,西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

CMOS电路/辐照效应/闩锁阈值/翻转阈值/脉冲宽度/剂量率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王桂珍,白小燕,郭晓强,杨善潮,李瑞宾,林东生,龚建成..CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究[J].强激光与粒子束,2009,21(5):742-744,3.

基金项目

国防科技基础研究基金资助课题 ()

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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