量子电子学报2007，Vol.24Issue(6)：743-747,5.
用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究
A study of p-type Ohmic contact for 4H-SiC avalanche photodetector
朱会丽 1陈厦平 1吴正云1
作者信息
- 1. 厦门大学物理系,福建,厦门,361005
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摘要
关键词
光电子学/4H-SiC/p型欧姆接触/X射线光电子能谱/雪崩光电探测器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
朱会丽,陈厦平,吴正云..用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究[J].量子电子学报,2007,24(6):743-747,5.
