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半导体学报
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开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析
开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析
孙瑛
半导体学报
2002，Vol.23
Issue(7)：746-751,6.
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半导体学报
2002，Vol.23
Issue(7)
：746-751,6.
开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析
Mechanism of Improving Electric Performance of Device by Open-Tube Gallium Diffusion
孙瑛
1
作者信息
1.
山东师范大学,济南,250014
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摘要
关键词
开管镓掺杂
/
SiO2/Si系
/
机理
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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孙瑛..开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析[J].半导体学报,2002,23(7):746-751,6.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
CSTPCD
ISSN：
1674-4926
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