|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究

GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究

冯士维 吕长志 丁广钰

半导体学报Issue(11)：747,1.
✕
半导体学报Issue(11)：747,1.

GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究

冯士维 1吕长志 1丁广钰1

作者信息

  • 折叠

摘要

关键词

砷化镓/MESFET/肖特基结/电压/温度特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

冯士维,吕长志,丁广钰..GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究[J].半导体学报,1994,(11):747,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文