6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究

王玉青王巍申君君

重庆邮电大学学报（自然科学版）2009，Vol.21Issue(1)：74-77,4.

C-V characteristics of 6H-SiC buried-channel MOSFET

王玉青 ¹王巍 ¹申君君¹

作者信息

SiC/埋沟MOSFET/C-V特性/界面态

信息技术与安全科学

王玉青,王巍,申君君..6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究[J].重庆邮电大学学报（自然科学版）,2009,21(1):74-77,4.

重庆市科委自然科学基金项目(CSTC,2006BB2364) （CSTC,2006BB2364）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1673-825X

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