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快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响

郝秋艳 乔治 张建峰 任丙彦 李养贤 刘彩池

人工晶体学报2004，Vol.33Issue(5)：747-750,4.
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人工晶体学报2004，Vol.33Issue(5)：747-750,4.

快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响

Effect of RTA on Grown-in Defects in Large-diameter CZSi

郝秋艳 1乔治 2张建峰 2任丙彦 2李养贤 2刘彩池2

作者信息

  • 1. 天津大学电信学院,天津300072
  • 2. 河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130
  • 折叠

摘要

关键词

CZSi/原生微缺陷/流动图形缺陷/原子力显微镜/快速退火

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郝秋艳,乔治,张建峰,任丙彦,李养贤,刘彩池..快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响[J].人工晶体学报,2004,33(5):747-750,4.

基金项目

国家自然科学基金(No. 60076001 ,No.50032010)和河北省自然科学基金资助项目(No.502061) （No. 60076001 ,No.50032010）

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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