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NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

李冬梅 王志华 皇甫丽英 勾秋静 雷有华 李国林

电子器件2007，Vol.30Issue(3)：748-751,4.
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电子器件2007，Vol.30Issue(3)：748-751,4.

NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

Total Dose Effects with High Dose Rate in NMOS Transistors

李冬梅 1王志华 2皇甫丽英 1勾秋静 1雷有华 1李国林1

作者信息

  • 1. 清华大学,电子工程系,北京,100084
  • 2. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084
  • 折叠

摘要

关键词

NMOS晶体管/辐照效应/总剂量

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李冬梅,王志华,皇甫丽英,勾秋静,雷有华,李国林..NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究[J].电子器件,2007,30(3):748-751,4.

基金项目

国家自然科学基金资助(60372021/F010204) （60372021/F010204）

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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