发光学报2005，Vol.26Issue(6)：748-752,5.
MOCVD侧向外延GaN的结构特性
Structural Characterization of Epitaxial Lateral Overgrowth GaN by MOCVD
摘要
关键词
侧向外延/金属有机化学气相沉积/氮化镓/原子力显微镜/拉曼散射分类
数理科学引用本文复制引用
方慧智,陆敏,陈志忠,陆羽,胡晓东,杨志坚,张国义..MOCVD侧向外延GaN的结构特性[J].发光学报,2005,26(6):748-752,5.基金项目
国家自然科学基金(60376005, 60276010) （60376005, 60276010）
国家"863"计划(2001AA313140, 2001AA313060)资助项目 （2001AA313140, 2001AA313060）
