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硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制

马剑平 卢刚 雷天民 陈治明

半导体学报2001，Vol.22Issue(6)：751-754,4.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(6)：751-754,4.

硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制

Growth of 3C-SiC from Silicon Solvent and Restrain of 6H-SiC

马剑平 1卢刚 1雷天民 2陈治明1

作者信息

  • 1. 西安理工大学电子工程系,西安 710048
  • 2. 西安理工大学应用物理系,西安 710048
  • 折叠

摘要

关键词

硅/熔体/碳化硅/抑制

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马剑平,卢刚,雷天民,陈治明..硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制[J].半导体学报,2001,22(6):751-754,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:69876030). （批准号:69876030）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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