InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计OA北大核心CSCDCSTPCD
Design of InGaP/GaAs HBT Microwave Power Amplifier
采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gummel-Poon模型参数,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的1900MHz两级AB类功率放大器.该功放的功率增益为26dB,1dB压缩点输出功率为28dBm,对应的功率附加效率和邻近信道功率比分别为38.8%、-30.5dBc,1dB压缩点处的各阶谐波功率均小于-40dBc.
钱永学;刘训春
中国科学院微电子中心,北京,100029中国科学院微电子中心,北京,100029
电子信息工程
异质结双极晶体管Gummel-Poon模型AB类功率放大器
《半导体学报》 2003 (7)
753-757,5
国家重点基础研究发展规划(编号:2000006830403)及中国科学院(编号:KGX2-101)资助项目
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