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半导体学报
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轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟
轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟
郑庆平
章倩苓
阮刚
半导体学报
Issue(10)：754,1.
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半导体学报
Issue(10)
：754,1.
轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟
郑庆平
1
章倩苓
1
阮刚
1
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摘要
关键词
掺杂
/
MOSFET
/
数值模拟
分类
信息技术与安全科学
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郑庆平,章倩苓,阮刚..轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟[J].半导体学报,1989,(10):754,1.
半导体学报
OA
CSCD
ISSN：
1674-4926
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