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CO2离化团束辐照Si表面形成SiO2膜的分析

田民波 冯晓东 山田公

半导体学报Issue(10)：755,1.
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半导体学报Issue(10)：755,1.

CO2离化团束辐照Si表面形成SiO2膜的分析

田民波 1冯晓东 2山田公3

作者信息

  • 1. 清华大学材料科学与工程系
  • 2. 日本京都大学离子工程实验室
  • 折叠

摘要

关键词

二氧化碳/硅/气体离化团束/二氧化硅

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

田民波,冯晓东,山田公..CO2离化团束辐照Si表面形成SiO2膜的分析[J].半导体学报,1997,(10):755,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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