陕西科技大学学报（自然科学版）2008，Vol.26Issue(3)：75-78,4.
掺杂与退火温度对VO2薄膜性能的影响
PROPERTY OF VO2 THIN FILM AFFECTED BY DOPING AND ANNEALING TEMPERATURE
摘要
关键词
真空蒸发/VO2薄膜/掺杂/相变/光透过率分类
数理科学引用本文复制引用
周序乐,唐振方,彭舒..掺杂与退火温度对VO2薄膜性能的影响[J].陕西科技大学学报（自然科学版）,2008,26(3):75-78,4.基金项目
广东省科技攻关项目(2006813301006) （2006813301006）
