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离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响

刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢

半导体学报2008，Vol.29Issue(4)：765-769,5.
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半导体学报2008，Vol.29Issue(4)：765-769,5.

离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响

Electrically Confined Aperture Formed by Ion Implantation and Its Effect on Device Optoelectronic Characteristics

刘成 1曹春芳 2劳燕锋 1曹萌 1吴惠桢1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
  • 2. 上海空间电源研究所,上海,200233
  • 折叠

摘要

关键词

电致发光器件结构/电流限制孔径/离子注入

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘成,曹春芳,劳燕锋,曹萌,吴惠桢..离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响[J].半导体学报,2008,29(4):765-769,5.

基金项目

国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903) （批准号:2003CB314903）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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