半导体学报2003，Vol.24Issue(1)：76-79,4.
氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响
Effects of Nitrogen Implantation into Gate Electrode on Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide
摘要
关键词
栅介质/氮注入/硼扩散分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
许晓燕,谭静荣,黄如,张兴..氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响[J].半导体学报,2003,24(1):76-79,4.基金项目
国家自然科学基金(批准号:69976001)及国家重点基础研究专项基金(No.20000365)资助项目 （批准号:69976001）
