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LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

揭荣金 马凤岚

江西科学2007,Vol.25Issue(6):769-771,3.
江西科学2007,Vol.25Issue(6):769-771,3.

LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

Design of Biasing Circuit Applicable for Minimizing Thermal Effect of LDMOS RF Power Amplifier

揭荣金 1马凤岚1

作者信息

  • 1. 江西机电职业技术学院,江西,南昌,330013
  • 折叠

摘要

关键词

LDMOS/温度特性/功率放大器/偏置电路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

揭荣金,马凤岚..LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计[J].江西科学,2007,25(6):769-771,3.

江西科学

1001-3679

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